AI驅(qū)動(dòng)增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備加速突圍

2025年，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)在人工智能產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)勢(shì)拉動(dòng)下，迎來(lái)了歷史性的增長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)。SEMI在最新發(fā)布的《年終總半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)測(cè)報(bào)告》中指出，2025年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備總銷售額預(yù)計(jì)達(dá)1330億美元，同比增長(zhǎng)13.7%，遠(yuǎn)超2024年1043億美元的紀(jì)錄，創(chuàng)下歷史新高。

AI相關(guān)投資的爆發(fā)式增長(zhǎng)成為貫穿全年的核心主線，尖端邏輯電路、存儲(chǔ)芯片及先進(jìn)封裝三大領(lǐng)域的設(shè)備需求持續(xù)旺盛，推動(dòng)市場(chǎng)規(guī)模不斷突破。與此同時(shí)，中國(guó)市場(chǎng)持續(xù)領(lǐng)跑全球，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)在政策支持與技術(shù)攻堅(jiān)下加速突圍，行業(yè)格局正在發(fā)生變革。

我國(guó)穩(wěn)居全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)

從季度表現(xiàn)來(lái)看，頭部設(shè)備廠商訂單量從2025年第三季度起持續(xù)攀升，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)總銷售額同比增長(zhǎng)11%，環(huán)比超越2024年第四季度的335.6億美元，創(chuàng)下2005年以來(lái)季度歷史新高，實(shí)現(xiàn)連續(xù)6個(gè)季度增長(zhǎng)且增幅連續(xù)5個(gè)季度保持兩位數(shù)水準(zhǔn)，為全年銷售額突破1300億美元大關(guān)奠定了基礎(chǔ)。

區(qū)域表現(xiàn)上，中國(guó)大陸連續(xù)第10個(gè)季度穩(wěn)居全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，2025年第三季度銷售額達(dá)145.6億美元，同比增長(zhǎng)13%，占全球整體銷售額的比重攀升至43%，為近4個(gè)季度以來(lái)首次突破40%。這一成績(jī)的背后，是本土晶圓廠在成熟制程擴(kuò)產(chǎn)與先進(jìn)節(jié)點(diǎn)攻堅(jiān)上的雙重發(fā)力，即便面臨全球供應(yīng)鏈波動(dòng)，國(guó)內(nèi)頭部晶圓廠仍保持穩(wěn)定的資本開(kāi)支，為設(shè)備需求提供了核心支撐。中國(guó)臺(tái)灣市場(chǎng)則實(shí)現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)，第三季度銷售額同比暴漲75%至82.1億美元，連續(xù)兩個(gè)季度超越韓國(guó)躋身全球第二，主要受益于臺(tái)積電等領(lǐng)軍企業(yè)面向AI與高性能計(jì)算的尖端產(chǎn)能建設(shè)，尤其是CoWoS先進(jìn)封裝與3nm及以下制程的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，直接拉動(dòng)了刻蝕、薄膜沉積等設(shè)備的訂單增長(zhǎng)。

韓國(guó)市場(chǎng)以50.7億美元的銷售額位居第三，同比增長(zhǎng)12%，其增長(zhǎng)動(dòng)力高度聚焦于先進(jìn)存儲(chǔ)器領(lǐng)域，三星、SK海力士等企業(yè)為搶占HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）市場(chǎng)先機(jī)，大幅加碼DRAM設(shè)備投資，推動(dòng)韓國(guó)成為全球HBM相關(guān)設(shè)備需求最集中的區(qū)域。相比之下，北美與歐洲市場(chǎng)表現(xiàn)疲軟，第三季度北美銷售額同比暴跌52%至21.1億美元，歐洲市場(chǎng)同比大跌50%至5.2億美元，主要因當(dāng)?shù)貍鹘y(tǒng)邏輯芯片產(chǎn)能調(diào)整，且AI相關(guān)投資集中于設(shè)計(jì)端而非制造端，導(dǎo)致設(shè)備需求承壓。日本市場(chǎng)則保持穩(wěn)健增長(zhǎng)，第三季度銷售額同比增加5%至18.3億美元，憑借在半導(dǎo)體材料與精密設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)積累，持續(xù)分享全球先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)的紅利。

SEMI預(yù)計(jì)至2027年，中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)仍將位居設(shè)備支出前三甲，中國(guó)大陸有望在預(yù)測(cè)期內(nèi)保持首位。

AI算力仍是最大驅(qū)動(dòng)力

2025年，芯片制造商為滿足AI加速器、高性能計(jì)算和高端移動(dòng)處理器的產(chǎn)能需求，持續(xù)加碼先進(jìn)節(jié)點(diǎn)投資，行業(yè)正加速向2nm GAA節(jié)點(diǎn)的大批量生產(chǎn)邁進(jìn)。這一過(guò)程直接拉動(dòng)了刻蝕、薄膜沉積、光刻等高端設(shè)備的需求，其中刻蝕設(shè)備因GAA制程對(duì)工藝精度的嚴(yán)苛要求，市場(chǎng)規(guī)模同比增長(zhǎng)超20%。

SEMI數(shù)據(jù)顯示，2025年用于先進(jìn)節(jié)點(diǎn)（7nm及以下）的邏輯電路設(shè)備銷售額占比超過(guò)60%，其中GAA工藝相關(guān)設(shè)備需求同比增長(zhǎng)超40%。國(guó)外頭部廠商中，ASML作為EUV光刻機(jī)的核心供應(yīng)商，2025年全年EUV設(shè)備交付量達(dá)60余臺(tái)，同比增長(zhǎng)20%，其中新一代EXE:5200機(jī)型交付18臺(tái)，單臺(tái)設(shè)備售價(jià)突破1.8億美元，臺(tái)積電、三星為主要搶購(gòu)企業(yè)，兩者合計(jì)采購(gòu)45臺(tái)，分別用于3nm規(guī)?；慨a(chǎn)及2nm制程研發(fā)。應(yīng)用材料推出新一代Endura CoWoS封裝沉積設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)薄膜厚度控制，2025年出貨量超300臺(tái)，客戶涵蓋臺(tái)積電、英特爾，全年相關(guān)設(shè)備營(yíng)收同比增長(zhǎng)35%。TEL發(fā)布用于GAA工藝的刻蝕設(shè)備TEO-3000，加工精度達(dá)單原子水平，2025年出貨量120臺(tái)，其中三星采購(gòu)58臺(tái)用于2nm產(chǎn)線搭建。

國(guó)內(nèi)企業(yè)方面，中微公司的CCP刻蝕設(shè)備已成功進(jìn)入先進(jìn)制程供應(yīng)鏈，其60:1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備成為國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程標(biāo)配，量產(chǎn)指標(biāo)穩(wěn)步提升，下一代90:1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備即將進(jìn)入市場(chǎng)；北方華創(chuàng)的深硅刻蝕設(shè)備實(shí)現(xiàn)先進(jìn)邏輯電路制造批量應(yīng)用，該公司2025年第三季度財(cái)報(bào)顯示，營(yíng)業(yè)收入為273億元，同比上升34.1%，主要業(yè)務(wù)涵蓋集成電路裝備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

AI芯片的快速迭代進(jìn)一步放大了設(shè)備需求。以GPU、ASIC為代表的AI加速芯片對(duì)制程精度和性能的要求持續(xù)提升，推動(dòng)芯片制造企業(yè)加大對(duì)超高精度薄膜沉積、離子注入等設(shè)備的投資。2025年全球AI芯片相關(guān)設(shè)備銷售額突破300億美元，占邏輯電路設(shè)備市場(chǎng)的46%，成為拉動(dòng)尖端邏輯電路設(shè)備增長(zhǎng)的核心動(dòng)力?？评冢↘LA）推出AI驅(qū)動(dòng)的晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備KLA-T2000，檢測(cè)準(zhǔn)確率提升至99.2%，2025年出貨量280臺(tái)，臺(tái)積電、英偉達(dá)均批量采購(gòu)用于AI芯片產(chǎn)線；泛林半導(dǎo)體（Lam Research）的HBM專用刻蝕設(shè)備2025年出貨量同比增長(zhǎng)65%，SK海力士、美光為主要客戶，全年?duì)I收貢獻(xiàn)超20億美元。

存儲(chǔ)芯片超級(jí)周期展示強(qiáng)勢(shì)拉動(dòng)力

晶圓廠設(shè)備（含晶圓加工、晶圓廠設(shè)施和掩膜/掩模版設(shè)備）銷售額在2024年創(chuàng)下1040億美元紀(jì)錄后，預(yù)計(jì)2025年增長(zhǎng)11%至1157億美元，核心驅(qū)動(dòng)力是DRAM與HBM領(lǐng)域的超預(yù)期投資。

存儲(chǔ)設(shè)備賽道在HBM需求的強(qiáng)力拉動(dòng)下，DRAM設(shè)備2025年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)15.4%至225億美元，2026、2027年再增長(zhǎng)15.1%和7.8%，存儲(chǔ)廠商持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)HBM并升級(jí)制程工藝以滿足AI與數(shù)據(jù)中心需求。三星、SK海力士、美光等頭部廠商紛紛擴(kuò)充HBM產(chǎn)能并升級(jí)至更先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，HBM4的迭代進(jìn)一步提升了探針卡等設(shè)備的ASP（平均售價(jià)），F(xiàn)orm Factor等企業(yè)的HBM相關(guān)營(yíng)收實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)。NAND設(shè)備市場(chǎng)則以技術(shù)升級(jí)為主、產(chǎn)能擴(kuò)張為輔，2025年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)45.4%至140億美元，受益于3D NAND堆疊技術(shù)進(jìn)步及主流產(chǎn)能擴(kuò)張，預(yù)計(jì)2026、2027年再增12.7%和7.3%，分別達(dá)到157億美元和169億美元。3D NAND疊層技術(shù)持續(xù)突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)等企業(yè)的NAND產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)，帶動(dòng)深寬比刻蝕設(shè)備需求激增。

北方華創(chuàng)的部分產(chǎn)品展示

HBM的制造流程涵蓋TSV、凸點(diǎn)制造、堆疊鍵合、封裝測(cè)試等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其中TSV工藝占HBM總成本的30%，對(duì)設(shè)備的工藝精度和穩(wěn)定性要求極高。在TSV制造環(huán)節(jié)，深孔刻蝕設(shè)備、氣相沉積設(shè)備、銅填充設(shè)備成為核心需求。國(guó)外廠商中，應(yīng)用材料的TSV銅填充設(shè)備2025年出貨量占全球市場(chǎng)份額的68%，三星、SK海力士采購(gòu)量占其總出貨量的75%；科磊的TSV缺陷檢測(cè)設(shè)備出貨量同比增長(zhǎng)52%，在全球高端HBM檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)占據(jù)重要地位。

國(guó)內(nèi)企業(yè)方面，盛美上海表示，公司已推出多款適配HBM工藝的設(shè)備。其中，公司的UltraECP3d設(shè)備可用于TSV銅填充；全線濕法清洗設(shè)備及電鍍銅設(shè)備等均可用于HBM工藝，全線封測(cè)設(shè)備（包括濕法設(shè)備、涂膠、顯影設(shè)備及電鍍銅設(shè)備）亦可應(yīng)用于大算力芯片2.5D封裝工藝。北方華創(chuàng)在HBM芯片制造領(lǐng)域可提供深硅刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法清洗、電鍍等多款核心設(shè)備。中微公司在先進(jìn)封裝領(lǐng)域（包含HBM工藝）全面布局，包含刻蝕、CVD、PVD、晶圓量檢測(cè)設(shè)備等，且已經(jīng)發(fā)布TSV深硅通孔設(shè)備。邁為股份表示，目前公司高選擇比刻蝕設(shè)備及混合鍵合設(shè)備等可用于HBM工藝，刻蝕和薄膜沉積設(shè)備已廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)芯片、邏輯芯片制造領(lǐng)域。拓荊科技的HBM專用ALD設(shè)備通過(guò)頭部存儲(chǔ)廠商驗(yàn)證，2025年實(shí)現(xiàn)小批量出貨。華卓精科研發(fā)推出全系列HBM高端裝備，包括混合鍵合設(shè)備、熔融鍵合設(shè)備、芯粒鍵合設(shè)備、激光剝離設(shè)備、激光退火設(shè)備，其CMP裝備、減薄裝備、劃切裝備、邊拋裝備等產(chǎn)品均作為HBM、CoWos等芯片堆疊與先進(jìn)封裝工藝的關(guān)鍵核心裝備，目前已在多家頭部客戶獲得應(yīng)用。

拓荊科技董事長(zhǎng)呂光泉認(rèn)為，存儲(chǔ)價(jià)格上漲反映出市場(chǎng)仍存在較大需求缺口，從中長(zhǎng)期來(lái)看，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片制造廠持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能。數(shù)據(jù)量的快速增長(zhǎng)正驅(qū)動(dòng)HBM向三維集成等方向演進(jìn)，3D NAND Flash芯片堆疊層數(shù)不斷提高，技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)將同步抬升下游客戶對(duì)先進(jìn)硬掩模、關(guān)鍵介質(zhì)薄膜以及相關(guān)薄膜沉積、鍵合設(shè)備的技術(shù)要求和采購(gòu)需求。

全球存儲(chǔ)巨頭的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃進(jìn)一步拉動(dòng)設(shè)備需求。三星電子2025~2027年計(jì)劃投入500億美元用于HBM產(chǎn)能擴(kuò)張，2025年新增HBM產(chǎn)線3條，采購(gòu)ASML EUV設(shè)備8臺(tái)、應(yīng)用材料沉積設(shè)備25臺(tái)；SK海力士將HBM產(chǎn)能提升至每月12萬(wàn)片晶圓，2025年采購(gòu)東京電子刻蝕設(shè)備30臺(tái)、科磊檢測(cè)設(shè)備40臺(tái)；美光科技加速推進(jìn)HBM4世代技術(shù)研發(fā)，2025年采購(gòu)泛林半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備22臺(tái)，用于HBM4產(chǎn)線搭建。在此背景下，2025年全球HBM相關(guān)設(shè)備訂單量同比增長(zhǎng)65%，其中刻蝕、沉積類設(shè)備訂單占比超70%。盡管當(dāng)前中國(guó)HBM產(chǎn)業(yè)鏈在關(guān)鍵設(shè)備端的國(guó)產(chǎn)化率不足5%，但國(guó)產(chǎn)設(shè)備企業(yè)正加速突破，在鍵合、檢測(cè)等環(huán)節(jié)已實(shí)現(xiàn)部分替代。

后道封裝與測(cè)試設(shè)備成為AI驅(qū)動(dòng)下的“新增長(zhǎng)極”

隨著AI芯片復(fù)雜度提升，封裝環(huán)節(jié)從傳統(tǒng)的“打包工”升級(jí)為“性能架構(gòu)師”，在高端AI芯片成本中的占比升至35%以上，部分GPU封裝成本甚至超過(guò)晶圓制造，CoWoS、HBM等先進(jìn)封裝技術(shù)成為競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。2025年半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)激增48.1%至112億美元，封裝設(shè)備銷售額增長(zhǎng)19.6%至64億美元。2026、2027年測(cè)試設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)繼續(xù)增長(zhǎng)12.0%和7.1%，封裝設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)增長(zhǎng)9.2%和6.9%。驅(qū)動(dòng)力來(lái)自器件架構(gòu)復(fù)雜度提升、先進(jìn)/異構(gòu)封裝加速滲透，以及AI與HBM對(duì)性能的嚴(yán)苛要求。

國(guó)外廠商中，TEL推出新一代CoWoS封裝設(shè)備，可支持8層芯片堆疊，2025年出貨量85臺(tái)，臺(tái)積電采購(gòu)50臺(tái)用于AI芯片封裝產(chǎn)線，全年封裝設(shè)備營(yíng)收同比增長(zhǎng)28%；科磊的先進(jìn)封裝缺陷檢測(cè)設(shè)備出貨量同比增長(zhǎng)45%，客戶涵蓋英特爾、AMD。

國(guó)內(nèi)企業(yè)方面，拓荊科技作為國(guó)內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)混合鍵合設(shè)備（W2W）量產(chǎn)的廠商，其晶圓對(duì)晶圓鍵合產(chǎn)品（dione 300）達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，2025年出貨量30臺(tái)，新一代產(chǎn)品已發(fā)貨至客戶端驗(yàn)證；華卓精科自主研發(fā)的混合鍵合設(shè)備、熔融鍵合設(shè)備等全系列HBM高端裝備；長(zhǎng)電科技作為封測(cè)龍頭，2025年第三季度先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)營(yíng)收占比提升至38%，同比增長(zhǎng)45%，毛利率達(dá)26%，其Chiplet封裝設(shè)備為國(guó)際頭部GPU企業(yè)批量供貨，AI算力芯片封裝訂單同比增長(zhǎng)120%。

先進(jìn)封裝的快速發(fā)展還推動(dòng)了前道設(shè)備向封裝領(lǐng)域延伸，形成"跨賽道"競(jìng)爭(zhēng)格局。盛美上海開(kāi)發(fā)的后道先進(jìn)封裝工藝設(shè)備，將前道濕法清洗、電鍍銅設(shè)備應(yīng)用于先進(jìn)封裝場(chǎng)景，2025年出貨量同比增長(zhǎng)32%；北方華創(chuàng)在HBM芯片制造與先進(jìn)封裝領(lǐng)域，可提供刻蝕、薄膜沉積、熱處理等多款核心設(shè)備，全年為先進(jìn)封裝領(lǐng)域供貨超50臺(tái)；中微公司則在先進(jìn)封裝領(lǐng)域全面布局刻蝕、CVD、PVD等設(shè)備，進(jìn)一步拓寬市場(chǎng)空間。封測(cè)設(shè)備企業(yè)也迎來(lái)業(yè)績(jī)爆發(fā)，華峰測(cè)控2025年上半年?duì)I收同比增長(zhǎng)40.99%，歸母凈利潤(rùn)同比激增74.04%；長(zhǎng)川科技2025年上半年?duì)I收同比增長(zhǎng)41.80%，歸母凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)98.73%，核心受益于AI驅(qū)動(dòng)下先進(jìn)封裝設(shè)備需求的快速增長(zhǎng)。

2025年是中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)入深水區(qū)的關(guān)鍵一年，在技術(shù)攻堅(jiān)與市場(chǎng)需求的多重賦能下，本土企業(yè)不僅在成熟制程設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)份額穩(wěn)步提升，更在先進(jìn)制程賽道取得突破性進(jìn)展。但同時(shí)，行業(yè)也面臨研發(fā)投入高企、盈利分化加劇等挑戰(zhàn)，仍需在技術(shù)迭代與生態(tài)協(xié)同中穩(wěn)步推進(jìn)。

展望未來(lái)，隨著AI算力需求的持續(xù)釋放、國(guó)內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃的推進(jìn)，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)有望繼續(xù)保持上升態(tài)勢(shì)。本土企業(yè)將持續(xù)提升技術(shù)實(shí)力與市場(chǎng)份額，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化從成熟制程向先進(jìn)制程、從單一設(shè)備向全產(chǎn)業(yè)鏈解決方案延伸，逐步改變?nèi)虬雽?dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局。

來(lái)源：中國(guó)電子報(bào)、電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)